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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE32E3IGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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GD25LE32E3IGR - Mémoire Flash NOR SPI 32 Mbit hautes performances
La GD25LE32E3IGR de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire Flash NOR 32 Mbit de pointe, conçue pour les applications embarquées exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire avancé est doté d'interfaces SPI Quad I/O et QPI, offrant des performances exceptionnelles avec une fréquence d'horloge de 133 MHz tout en maintenant une consommation d'énergie ultra-faible grâce à une plage de tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 133 MHz avec un temps d'accès de 6 ns assure une récupération rapide des données.
- Interface flexible : prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI pour une intégration système polyvalente
- Conception basse consommation : tension de fonctionnement de 1,65 V à 2 V, idéale pour les applications alimentées par batterie et économes en énergie.
- Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 85 °C, adaptée aux environnements industriels et automobiles.
- Encombrement réduit : le boîtier 10-WLCSP permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Stockage fiable : organisation 4M x 8 avec une capacité totale de 32 Mbit
Applications idéales
Idéal pour les appareils IoT, les objets connectés, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, l'électronique grand public et les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable avec des capacités de lecture/écriture rapides.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LE |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 32 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 10-XFBGA, WLCSP |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 10-WLCSP |
GD25LE32E3IGR.pdf