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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE32EEEGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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La GD25LE32EEEGR est une mémoire Flash NOR 32 Mbit hautes performances de GigaDevice Semiconductor, conçue pour les applications industrielles et embarquées exigeantes. Dotée d'interfaces SPI et d'E/S quadruples avancées avec une fréquence d'horloge de 133 MHz, cette mémoire Flash offre des performances de lecture/écriture exceptionnelles et une consommation d'énergie ultra-faible (1,65 V à 2 V). Fonctionnant de manière fiable sur une large plage de températures (-40 °C à 125 °C), elle est idéale pour les secteurs de l'automobile, du contrôle industriel, de l'IoT et des systèmes critiques nécessitant un stockage de données non volatiles.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LE |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 32 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-XFDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (3x2) |
GD25LE32EEEGR.pdf