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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LE32ENIGR

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15+ €0,87 EUR €13,05 EUR
25+ €0,86 EUR €21,50 EUR
50+ €0,81 EUR €40,50 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

GD25LE32ENIGR - Mémoire Flash NOR SPI 32 Mbit hautes performances

La GD25LE32ENIGR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR 32 Mbit haut de gamme dotée d'interfaces SPI Quad I/O et QPI avancées. Conçue pour une fiabilité optimale dans les applications exigeantes, cette mémoire Flash fonctionne à des fréquences d'horloge jusqu'à 133 MHz avec une plage d'alimentation ultra-basse de 1,65 V à 2 V, ce qui la rend idéale pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, de contrôle industriel et embarqués sensibles à la consommation d'énergie.

Avec une organisation mémoire de 4 M×8 et un temps d'accès de 6 ns, le GD25LE32ENIGR offre des performances de lecture/écriture exceptionnelles. Son boîtier CMS compact 8 USON (3 x 4 mm) avec pastille exposée assure une excellente gestion thermique et un encombrement réduit. Fonctionnant dans une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C, ce composant garantit des performances stables même dans des environnements difficiles.

Spécifications techniques

Principales caractéristiques et avantages

  • Interface haut débit : prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI avec une fréquence d’horloge de 133 MHz pour un transfert de données rapide.
  • Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l'efficacité énergétique.
  • Performances fiables : cycle d’écriture de mot de 60 µs, cycle d’écriture de page de 2,4 ms et temps d’accès de 6 ns
  • Qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements extrêmes
  • Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-USON (3 x 4 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
  • Composants authentiques : provenant de distributeurs agréés GigaDevice avec traçabilité complète.

Applications

Le GD25LE32ENIGR est parfaitement adapté au stockage de firmware embarqué, au code BIOS/UEFI, aux systèmes d'enregistrement de données, aux appareils IoT, à l'électronique automobile, aux contrôleurs industriels et à l'électronique grand public nécessitant une mémoire non volatile avec des temps d'accès rapides et une faible consommation d'énergie.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits GD25LE
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Taille de la mémoire 32 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 60 µs, 2,4 ms
Temps d'accès 6 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-UDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-USON (3x4)

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