GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE32ENIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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GD25LE32ENIGR - Mémoire Flash NOR SPI 32 Mbit hautes performances
La GD25LE32ENIGR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR 32 Mbit haut de gamme dotée d'interfaces SPI Quad I/O et QPI avancées. Conçue pour une fiabilité optimale dans les applications exigeantes, cette mémoire Flash fonctionne à des fréquences d'horloge jusqu'à 133 MHz avec une plage d'alimentation ultra-basse de 1,65 V à 2 V, ce qui la rend idéale pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, de contrôle industriel et embarqués sensibles à la consommation d'énergie.
Avec une organisation mémoire de 4 M×8 et un temps d'accès de 6 ns, le GD25LE32ENIGR offre des performances de lecture/écriture exceptionnelles. Son boîtier CMS compact 8 USON (3 x 4 mm) avec pastille exposée assure une excellente gestion thermique et un encombrement réduit. Fonctionnant dans une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C, ce composant garantit des performances stables même dans des environnements difficiles.
Spécifications techniques
Principales caractéristiques et avantages
- Interface haut débit : prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI avec une fréquence d’horloge de 133 MHz pour un transfert de données rapide.
- Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l'efficacité énergétique.
- Performances fiables : cycle d’écriture de mot de 60 µs, cycle d’écriture de page de 2,4 ms et temps d’accès de 6 ns
- Qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements extrêmes
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-USON (3 x 4 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Composants authentiques : provenant de distributeurs agréés GigaDevice avec traçabilité complète.
Applications
Le GD25LE32ENIGR est parfaitement adapté au stockage de firmware embarqué, au code BIOS/UEFI, aux systèmes d'enregistrement de données, aux appareils IoT, à l'électronique automobile, aux contrôleurs industriels et à l'électronique grand public nécessitant une mémoire non volatile avec des temps d'accès rapides et une faible consommation d'énergie.
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Produits et ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LE |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 32 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-UDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (3x4) |

GD25LE32ENIGR.pdf