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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32EEAGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD25LQ32EEAGR - Mémoire Flash NOR SPI 32 Mbit hautes performances
La mémoire GD25LQ32EEAGR de GigaDevice Semiconductor offre un stockage non volatil fiable et rapide pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels et les applications automobiles. Cette mémoire Flash NOR de 32 Mbits est dotée d'interfaces SPI et d'E/S quadruples avancées, permettant un débit de données élevé jusqu'à une fréquence d'horloge de 133 MHz tout en conservant une consommation d'énergie ultra-faible avec une plage de tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d'horloge de 133 MHz avec prise en charge des E/S quadruples et du QPI pour un accès rapide aux données
- Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 125 °C, garantissant une fiabilité optimale dans les environnements industriels et automobiles les plus difficiles.
- Conception basse consommation : la tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l'efficacité énergétique des appareils portables et alimentés par batterie.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-USON (3 x 2 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Performances d'écriture rapides : temps de cycle d'écriture de 100 µs par mot et de 4 ms par page pour accélérer les opérations de programmation.
- Organisation flexible : architecture mémoire 4 Mo x 8 avec un temps d’accès de 6 ns
Applications idéales
Cette solution NOR Flash excelle dans le stockage de code, les mises à jour de firmware, l'enregistrement de données et le stockage de configuration pour les microcontrôleurs, les FPGA et les processeurs embarqués dans les secteurs de l'aérospatiale, du médical, des télécommunications et de l'automatisation industrielle.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 32 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-XFDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (3x2) |
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