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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32EEIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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GD25LQ32EEIGR - Mémoire Flash NOR SPI 32 Mbit hautes performances
Le GD25LQ32EEIGR de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 32 Mbit haute fiabilité, conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage rapide et non volatil. Ce composant de mémoire Flash avancé est doté d'interfaces SPI et d'E/S quadruples, offrant des performances exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 133 MHz avec une consommation d'énergie ultra-faible (tension de fonctionnement de 1,65 V à 2 V).
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 6 ns pour une récupération rapide des données.
- Interface flexible : prise en charge des interfaces SPI, Quad I/O et QPI pour une intégration système polyvalente.
- Conception basse consommation : tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V, idéale pour les applications alimentées par batterie et économes en énergie.
- Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-USON (3 x 2 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Performances d'écriture rapides : écriture d'un mot en 60 µs, temps de cycle d'écriture d'une page en 2,4 ms
Applications idéales
Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les appareils IoT, le stockage de firmware embarqué, le code BIOS/de démarrage, l'enregistrement de données et le stockage de configuration dans des conceptions à espace restreint.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 32 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-XFDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (3x2) |
GD25LQ32EEIGR.pdf