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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32ENIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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GD25LQ32ENIGR - Mémoire Flash NOR SPI 32 Mbit hautes performances
La GD25LQ32ENIGR de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire Flash NOR 32 Mbit hautes performances conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles. Cette mémoire Flash avancée est dotée d'interfaces SPI et QPI à quatre E/S, offrant des performances de lecture/écriture exceptionnelles avec une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 7 ns.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec prise en charge des interfaces SPI et QPI à quatre E/S pour un transfert de données rapide
- Configuration mémoire optimale : capacité de 32 Mbit organisée en 4 Mbit x 8 pour une gestion flexible des données
- Fonctionnement à faible consommation : plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V idéale pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.
- Plage de températures industrielles : Fonctionnement fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements exigeants
- Boîtier compact pour montage en surface : son format 8-USON (4 x 3 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Performances d'écriture rapides : cycles d'écriture de mots de 60 µs et de pages de 2,4 ms.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, l'électronique grand public et toute application nécessitant un stockage de mémoire non volatile fiable avec une interface série haut débit.
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Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 32 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-UDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (4x3) |
| RoHS |  |
GD25LQ32ENIGR.pdf