GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LR256EFIRR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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GD25LR256EFIRR - Circuit intégré de mémoire flash NOR 256 Mbit
La GD25LR256EFIRR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR haute performance de 256 Mbit conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire Flash avancé est doté d'interfaces SPI Quad I/O, QPI et DTR, offrant une fiabilité et des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données non volatiles.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 256 Mbits (32 Mo x 8) offre un espace suffisant pour le micrologiciel, les données de configuration et les paramètres système critiques.
- Performances ultra-rapides : une fréquence d’horloge de 104 MHz avec un temps d’accès de 9 ns garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale.
- Interface avancée : la prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR permet une intégration flexible et un transfert de données à haut débit.
- Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique des applications portables et alimentées par batterie.
- Plage de températures industrielles : la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables dans des environnements difficiles.
- Boîtier compact pour montage en surface : son format 16-SOIC (largeur de 7,50 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
Spécifications techniques
Applications
Le GD25LR256EFIRR est idéal pour :
- calculateurs électroniques automobiles et systèmes ADAS
- équipements de contrôle et d'automatisation industriels
- Dispositifs médicaux et instruments de diagnostic
- Infrastructure de télécommunications
- Systèmes aérospatiaux et de défense
- Dispositifs IoT périphériques et capteurs intelligents
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LR |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70 µs, 1,2 ms |
| Temps d'accès | 9 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 16-SOIC (0,295", largeur 7,50 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 16-SOP |
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