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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LR512MEFIRY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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GD25LR512MEFIRY - Mémoire Flash NOR Quad SPI de 512 Mbits
Le GD25LR512MEFIRY de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 512 Mbit hautes performances doté d'une interface Quad SPI et d'une fréquence d'horloge de 200 MHz. Il est conçu pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeant un stockage non volatil fiable et un fonctionnement sur une large plage de températures.
Caractéristiques principales
- Interface haut débit : interface SPI quadruple E/S avec une fréquence d'horloge de 200 MHz pour un accès rapide aux données
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V pour des conceptions économes en énergie
- Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements exigeants
- Grande capacité : organisation de la mémoire de 512 Mbit (64 Mo x 8).
- Boîtier CMS : 16-SOIC (largeur 7,50 mm) pour assemblage automatisé
Applications
Idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données, les mises à jour de firmware et le code de démarrage dans les systèmes aérospatiaux, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les infrastructures de télécommunications et les systèmes embarqués nécessitant un support à long terme.
Avantages réservés aux distributeurs agréés
Nous fournissons des composants GigaDevice authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une assistance technique à l'intégration. Tous les appareils sont expédiés depuis un stock agréé et bénéficient d'une garantie et d'une gestion de l'obsolescence pour un support à long terme.
Spécifications techniques
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LR |
| Conditionnement | Plateau | Plateau |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 16-SOIC (0,295", largeur 7,50 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 16-SOP |
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