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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LR512MEYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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GD25LR512MEYIGR - Mémoire Flash NOR Quad SPI 512 Mbit
Le GD25LR512MEYIGR est un circuit intégré de mémoire Flash NOR haute performance de 512 Mbits de GigaDevice Semiconductor, doté d'une interface Quad SPI et d'une fréquence d'horloge de 200 MHz. Il est idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles et de télécommunications exigeant une mémoire non volatile fiable et haute densité avec une traçabilité complète.
Principales caractéristiques et avantages
- Haute densité : capacité de mémoire de 512 Mbit (64 Mo x 8) pour les applications gourmandes en données.
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 200 MHz avec interface SPI à quatre E/S
- Faible consommation : tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V pour un fonctionnement écoénergétique
- Plage de températures étendue : -40 °C à 85 °C (TA) pour une fiabilité de niveau industriel
- Boîtier compact : boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) avec pastille exposée
- Produit sous licence : documentation complète du fabricant et traçabilité garanties
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués, le stockage de firmware, l'enregistrement de données, les appareils IoT, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels et les équipements de télécommunications nécessitant une disponibilité tout au long du cycle de vie et une prise en charge intégrée dès la conception.
Spécifications techniques complètes
Garantie du distributeur agréé : Tous nos produits sont livrés avec la documentation complète du fabricant, les certificats d’authenticité et une traçabilité intégrale. Nous accompagnons les programmes de gestion du cycle de vie et proposons une assistance à l’intégration grâce à des plans de référence et des ressources techniques.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LR |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
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