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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LT256EYAGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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GD25LT256EYAGR - Mémoire Flash NOR Quad SPI 256 Mbit
Le GD25LT256EYAGR de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 256 Mbit hautes performances doté d'une interface SPI quadruple avec prise en charge DTR. Il est conçu pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes nécessitant un stockage non volatil fiable et un fonctionnement sur une large plage de températures.
Caractéristiques principales
- Performances haute vitesse : fréquence d'horloge de 166 MHz avec un temps d'accès de 6 ns
- Interface flexible : modes SPI, Quad I/O, QPI et DTR pour un débit optimisé
- Large plage de fonctionnement : alimentation de 1,65 V à 2 V, température ambiante de -40 °C à 125 °C
- Format compact : boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) avec pastille exposée
- Stockage fiable : organisation 32M x 8 avec écriture de page rapide (3 ms) et écriture de mot rapide (140 µs)
Applications
Idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données, les mises à jour de firmware et le code de démarrage dans les systèmes aérospatiaux, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les infrastructures de télécommunications et les systèmes embarqués nécessitant un support à long terme.
Distribution autorisée
Nous fournissons des composants GigaDevice authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une garantie. Tous les produits sont expédiés depuis le stock de distributeurs agréés et bénéficient d'une assurance qualité.
Spécifications techniques
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LT |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 140 µs, 3 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
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