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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LT512MEYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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GD25LT512MEYIGR - Circuit intégré de mémoire flash NOR 512 Mbit
Le GigaDevice GD25LT512MEYIGR est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 512 Mbit hautes performances doté d'interfaces SPI Quad I/O, QPI et DTR avancées. Il est conçu pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes nécessitant un stockage non volatil fiable, des performances de lecture/écriture rapides et un fonctionnement sur une large plage de températures.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 512 Mbits (64 Mo) avec une organisation de 64 M x 8 pour une gestion flexible des données
- Performances rapides : la fréquence d'horloge de 200 MHz permet un accès aux données et des vitesses de transfert rapides.
- Interface avancée : prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR pour un débit et une flexibilité maximaux
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimisée pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie
- Qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Encombrement réduit : Boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) compact avec pastille thermique exposée pour des performances thermiques améliorées.
- Stock autorisé : documentation complète du fabricant, traçabilité et assistance garantie
Applications typiques
- Systèmes d'infodivertissement et d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile
- équipements de contrôle et d'automatisation industriels
- Infrastructures de télécommunications et stations de base
- Systèmes embarqués aérospatiaux et de défense
- Dispositifs IoT périphériques et capteurs intelligents
- Mises à jour du stockage de la configuration FPGA et du firmware
Pourquoi choisir la mémoire flash NOR de GigaDevice ?
GigaDevice Semiconductor garantit une fiabilité éprouvée et un support technique à long terme pour les applications critiques. La série GD25LT allie la compatibilité SPI standard à des fonctionnalités avancées telles que le DTR (Double Transfer Rate) pour les applications exigeant performance et fiabilité. Notre réseau de distributeurs agréés assure l'authenticité des composants et intègre un support technique complet ainsi qu'une assistance à l'intégration.
Spécifications techniques complètes
Commande et assistance
Disponible en conditionnement sur bande et bobine pour assemblage automatisé. Contactez notre équipe technique pour obtenir des schémas de référence, des notes d'application et des informations sur la disponibilité tout au long du cycle de vie du produit. Nous vous accompagnons tout au long du développement de votre produit, du prototype à la production, grâce à des composants GigaDevice agréés et une documentation complète.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LT |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
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