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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LX256EF2RR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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GD25LX256EF2RR - Mémoire flash NOR automobile haute performance
La GD25LX256EF2RR de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire Flash NOR 256 Mbit haute fiabilité, conçue spécifiquement pour les applications automobiles exigeantes. Dotée d'une interface SPI octale avancée avec prise en charge du DTR (Double Transfer Rate), cette mémoire de qualité automobile offre des performances et une fiabilité exceptionnelles, même dans des environnements d'exploitation difficiles.
Principales caractéristiques et avantages
- Fiabilité de qualité automobile : conforme à la norme AEC-Q100 pour les systèmes automobiles critiques.
- Interface haut débit : SPI octal avec prise en charge DTR pour un débit de données maximal
- Plage de températures étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C
- Capacité optimale : organisation de la mémoire de 256 Mbit (32 Mo x 8).
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V pour une efficacité énergétique optimale.
- Boîtier standard industriel : boîtier CMS 16 broches SOIC pour une intégration facile
Applications idéales
Idéal pour les systèmes d'infodivertissement automobile, les ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite), les tableaux de bord, les modules de commande de carrosserie et autres systèmes électroniques automobiles critiques pour la sécurité nécessitant un stockage de mémoire non volatile à haute fiabilité et haute performance.
Spécifications techniques complètes
Toutes les spécifications sont sujettes à la fiche technique du fabricant. Contactez-nous pour obtenir une documentation technique détaillée, connaître la disponibilité et les tarifs dégressifs.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LX |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - E/S octales, DTR |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | Automobile |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 16-SOIC (0,295", largeur 7,50 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 16-SOP |
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