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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q128EFJRR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD25Q128EFJRR - Mémoire Flash NOR Quad E/S SPI 128 Mbit
La GD25Q128EFJRR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbits conçue pour les systèmes embarqués, les applications industrielles, l'électronique automobile et les objets connectés nécessitant un stockage non volatil fiable. Dotée d'une interface SPI Quad E/S cadencée à 133 MHz, cette mémoire Flash offre des performances de lecture/écriture rapides avec un temps d'accès de 7 ns et prend en charge une organisation mémoire de 16 Mbits x 8 bits.
Principales caractéristiques et avantages :
- Performances à haute vitesse : l'interface SPI Quad E/S 133 MHz assure un transfert de données rapide pour les applications exigeantes.
- Grande capacité : capacité de stockage de 128 Mbit (16 Mo), idéale pour le stockage de firmware, de code et l'enregistrement de données.
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 105 °C, adaptée aux environnements industriels et automobiles.
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Technologie fiable : la technologie NOR Flash SLC offre une endurance et une conservation des données supérieures.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 16 broches SOIC (largeur de 7,50 mm) permet un gain de place sur la carte.
Applications : Systèmes embarqués, contrôleurs industriels, calculateurs automobiles, dispositifs IoT, stockage de firmware, BIOS/UEFI, enregistrement de données, stockage de configuration et configuration FPGA.
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Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25Q |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 140 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 16-SOIC (0,295", largeur 7,50 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 16-SOP |
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