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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q128EYJGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD25Q128EYJGR - Mémoire Flash SPI NOR haute performance de 128 Mbit
La mémoire Flash NOR SPI GD25Q128EYJGR de GigaDevice Semiconductor est une solution haut de gamme de 128 Mbit (16 Mo x 8) conçue pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT exigeantes. Dotée d'une interface SPI à quatre E/S avec une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 7 ns, cette mémoire Flash offre des performances exceptionnelles pour le stockage de code, l'enregistrement de données et les mises à jour de firmware.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 133 MHz et une interface SPI à quatre E/S garantissent un transfert de données rapide.
- Capacité généreuse : stockage de 128 Mbits (16 Mo) organisé en 16 Mo x 8 pour une gestion flexible de la mémoire
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 105 °C pour une fiabilité de niveau industriel
- Cycles d'écriture rapides : écriture d'un mot en 140 µs, écriture d'une page en 4 ms pour une programmation efficace
- Encombrement réduit : Boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) compact avec pastille thermique exposée pour des performances thermiques supérieures.
- Architecture de la mémoire flash NOR : la technologie SLC (Single-Level Cell) garantit l’intégrité des données et une longue durée de vie.
Spécifications techniques
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les appareils IoT, le stockage BIOS, les mises à jour de firmware, l'enregistrement de données et les applications de copie de code nécessitant une mémoire non volatile fiable avec des performances de lecture/écriture rapides.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25Q |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 140 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
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