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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25R128ESIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD25R128ESIGR - Mémoire Flash NOR SPI haute performance de 128 Mbit
La GD25R128ESIGR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash SPI NOR haut de gamme de 128 Mbit (16 Mo x 8) conçue pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT. Cette mémoire Flash haute performance dispose d'une interface SPI à quatre E/S avec une fréquence d'horloge de 200 MHz, offrant des vitesses de lecture/écriture exceptionnelles pour les applications exigeantes.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 200 MHz associée à une interface d’E/S quadruple SPI garantit un accès et un transfert de données rapides.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V et plage de température de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
- Boîtier compact pour montage en surface : boîtier SOIC 8 broches (largeur de 5,30 mm) / SOP 8 broches optimisé pour les conceptions à espace restreint.
- Technologie Flash NOR éprouvée : l’architecture SLC (Single-Level Cell) offre une endurance et une rétention des données supérieures.
- Organisation flexible de la mémoire : configuration 16 Mo x 8 idéale pour le stockage de code, l’enregistrement de données et les applications de micrologiciel.
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire Flash NOR polyvalente est idéale pour :
- Stockage du micrologiciel du système embarqué et code de démarrage
- systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Dispositifs IoT et capteurs intelligents
- Enregistrement des données et stockage de la configuration
- Stockage du BIOS et des paramètres système
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25R |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
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