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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25R128EWIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD25R128EWIGR - Mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbit
Le GD25R128EWIGR de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 128 Mbit haut de gamme, conçu pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT exigeantes. Doté d'une interface SPI Quad E/S avancée et d'une fréquence d'horloge élevée de 200 MHz, ce composant offre des performances de lecture/écriture exceptionnelles dans un boîtier CMS compact 8-WSON (5 x 6 mm).
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 200 MHz associée à une interface d’E/S quadruple SPI garantit un accès et un transfert de données rapides.
- Capacité généreuse : l’organisation de la mémoire de 128 Mbits (16 Mo x 8) offre un espace de stockage suffisant pour le micrologiciel, les données de configuration et l’exécution du code.
- Fiabilité de niveau industriel : une large plage de températures de fonctionnement (-40 °C à 85 °C) garantit un fonctionnement stable même dans des environnements difficiles.
- Alimentation flexible : la plage de tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V s'adapte à différentes configurations de systèmes.
- Conception compacte : le boîtier compact 8-WSON à pastilles exposées (5 x 6 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
- Technologie Flash NOR : l’architecture à cellule unique (SLC) offre une endurance et une rétention des données supérieures.
Applications idéales
Ce composant de mémoire flash polyvalent est parfaitement adapté aux systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable, notamment les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements réseau, les dispositifs médicaux, l'électronique grand public et les objets connectés. Son interface haut débit, sa résistance aux températures industrielles et la qualité éprouvée de GigaDevice en font un excellent choix pour les applications critiques.
Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25R |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (5x6) |
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