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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25R128EYIGR

Prix habituel €1,95
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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €1,95 EUR €1,95 EUR
15+ €1,79 EUR €26,85 EUR
25+ €1,76 EUR €44,00 EUR
50+ €1,66 EUR €83,00 EUR
100+ €1,46 EUR €146,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

GD25R128EYIGR - Mémoire Flash NOR SPI haute performance de 128 Mbit

La GD25R128EYIGR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash SPI NOR de 128 Mbit (16 Mo x 8) haut de gamme, conçue pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile et les applications IoT. Cette mémoire Flash haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 200 MHz et son interface SPI à quatre E/S, garantissant un accès rapide aux données et un fonctionnement système efficace.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 200 MHz avec interface SPI Quad E/S pour un transfert de données rapide
  • Grande capacité de mémoire : 128 Mbit organisés en 16 Mbit x 8 pour un stockage de données étendu.
  • Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour une intégration système flexible.
  • Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C (TA) pour un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles
  • Boîtier compact pour montage en surface : 8 connecteurs WDFN à pastille exposée / 8 connecteurs WSON (6x8) pour une conception de circuit imprimé peu encombrante.
  • Technologie Flash non volatile : la mémoire Flash SLC NOR assure la conservation des données sans alimentation.

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de code fiable, des mises à jour de firmware, l'enregistrement de données, le stockage de configuration et le code de démarrage dans les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les appareils IoT et l'électronique grand public.

Spécifications techniques

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits GD25R
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 16M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 200 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (6x8)

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