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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25R512MEFIRR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD25R512MEFIRR - Mémoire Flash NOR Quad SPI de 512 Mbits
Le GigaDevice GD25R512MEFIRR est un circuit intégré de mémoire Flash NOR haute performance de 512 Mbit doté d'une interface SPI quadruple avec prise en charge du DTR (Double Transfer Rate). Conçue pour les applications embarquées exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications, cette solution de mémoire offre un stockage non volatil fiable avec une fréquence d'horloge de 200 MHz et une large plage de températures de fonctionnement.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 512 Mbits (64 Mo x 8) pour les applications gourmandes en données
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 200 MHz avec prise en charge des E/S quadruples et du DTR
- Large plage de tension : fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V pour une intégration système flexible
- Classe de température industrielle : -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements difficiles
- Conditionnement standard : boîtier CMS 16 broches SOIC, prêt pour le conditionnement en bande et bobine.
- Produit sous licence : documentation complète du fabricant et traçabilité incluses
Applications
Idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données, les mises à jour de firmware et le stockage de configuration dans les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les équipements de télécommunications et les systèmes aérospatiaux nécessitant une disponibilité sur un long cycle de vie.
Spécifications techniques complètes
Distributeur agréé : Tous les produits sont livrés avec la documentation complète du fabricant, des garanties d’authenticité et un support technique à long terme. Assistance à l’intégration et ressources techniques disponibles.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25R |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, DTR |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 16-SOIC (0,295", largeur 7,50 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 16-SOP |
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