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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25R512MEYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GigaDevice GD25R512MEYIGR - Mémoire Flash SPI NOR haute performance de 512 Mbits
La mémoire Flash NOR GD25R512MEYIGR de GigaDevice Semiconductor, d'une capacité de 512 Mbits (64 Mo x 8), offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Ce composant mémoire avancé est doté d'une interface SPI quadruple avec prise en charge du DTR (Double Transfer Rate), garantissant des performances exceptionnelles jusqu'à une fréquence d'horloge de 200 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 200 MHz avec prise en charge des E/S quadruples et du DTR pour un accès rapide aux données
- Grande capacité : densité de 512 Mbits organisée en 64 Mbits x 8 pour répondre aux besoins importants en matière de stockage de données.
- Large plage de fonctionnement : plage de température de -40 °C à 85 °C avec une tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V
- Encombrement réduit : Boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) compact avec pastille exposée
- Fiabilité de niveau industriel : la technologie NAND SLC garantit une longue durée de vie et l’intégrité des données.
- Interface flexible : compatible SPI avec quatre E/S pour un débit optimisé
Applications idéales
Idéal pour les systèmes embarqués nécessitant le stockage non volatil de code, l'enregistrement de données, les mises à jour de firmware et la gestion de la configuration dans des environnements critiques. Approuvé par les ingénieurs concepteurs du monde entier pour sa fiabilité éprouvée et son support technique complet.
Spécifications techniques complètes
Distributeur agréé : Nous fournissons des composants GigaDevice authentiques avec traçabilité complète, documentation technique et assistance tout au long du cycle de vie. Contactez notre équipe d’intégration pour obtenir des échantillons, des schémas de référence et une assistance à l’application.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25R |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, DTR |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
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