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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25R512MFYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD25R512MFYIGR - Circuit intégré de mémoire flash NOR 512 Mbit
La GD25R512MFYIGR est une puce mémoire Flash NOR 512 Mbit hautes performances de GigaDevice Semiconductor, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant offre un stockage non volatil fiable, avec d'excellentes caractéristiques de rétention des données et de grande endurance.
Caractéristiques principales :
- Capacité de mémoire flash NOR de 512 Mbits (64 Mo)
- Fabriqué par GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- Conditionnement en bande et bobine (TR) pour assemblage automatisé
- Stock du distributeur agréé avec documentation complète du fabricant
- garantie de traçabilité et d'authenticité complètes
- Disponibilité à long terme pour le support des programmes
Applications :
- Systèmes embarqués et stockage de microprogrammes
- Systèmes électroniques automobiles et ADAS
- Contrôle et automatisation industriels
- Infrastructure de télécommunications
- applications aérospatiales et de défense
Pourquoi choisir la distribution autorisée :
En achetant le GD25R512MFYIGR auprès de notre réseau de distribution agréé, vous bénéficiez de composants authentiques, de la garantie constructeur complète, d'une documentation exhaustive et d'un support technique. Nous proposons une assistance à l'intégration, des conceptions de référence et un engagement de disponibilité à long terme pour accompagner votre produit tout au long de son cycle de vie.
Spécifications techniques
Besoin d'assistance technique ou de tarifs dégressifs ? Contactez notre équipe pour obtenir de l'aide à l'intégration, des conceptions de référence et des programmes de disponibilité à long terme.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | - |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | - |
| Organisation de la mémoire | - |
| Interface mémoire | - |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | - |
| Température de fonctionnement | - |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | - |
| Emballage / Étui | - |
| Emballage du dispositif du fournisseur | - |
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