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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25T512MEBIRY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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GD25T512MEBIRY - Mémoire Flash NOR Quad SPI 512 Mbit
La GD25T512MEBIRY de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR SPI 512 Mbit hautes performances dotée de quatre E/S et prenant en charge le double taux de transfert (DTR). Conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications, cette mémoire Flash offre un stockage non volatil fiable, rapide et efficace.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 200 MHz avec prise en charge des E/S quadruples et du DTR pour un débit maximal
- Grande capacité : mémoire de 512 Mbit (64 Mo x 8) idéale pour le stockage de code et l'enregistrement de données.
- Large plage de fonctionnement : plage de température de -40 °C à 85 °C, tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V
- Boîtier compact : Boîtier CMS 24-TFBGA (6 x 8 mm) peu encombrant
- Qualité industrielle : la technologie NAND SLC garantit une longue durée de vie et une grande fiabilité.
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications et toute application nécessitant un stockage de mémoire non volatile rapide et fiable.
Distributeur agréé
Nous fournissons des composants GD25T512MEBIRY 100 % authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une garantie. Tous les appareils sont expédiés depuis le stock de nos distributeurs agréés et bénéficient d'une logistique internationale.
Spécifications techniques
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25T |
| Conditionnement | Plateau | Plateau |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, DTR |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-TBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-TFBGA (6x8) |
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