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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25T512MEFIRR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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GD25T512MEFIRR - Mémoire Flash NOR SPI haute performance de 512 Mbits
La GigaDevice GD25T512MEFIRR est une solution de mémoire Flash NOR haute densité et hautes performances conçue pour les applications industrielles, automobiles, de télécommunications et embarquées exigeantes. Avec 512 Mbit (64 Mo) de stockage non volatil et une interface SPI Quad I/O avancée avec prise en charge DTR, ce circuit intégré de mémoire offre des performances de lecture/écriture exceptionnelles jusqu'à 200 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 512 Mbits organisée en 64 Mbits x 8, offrant un espace suffisant pour le micrologiciel, le stockage de code et l’enregistrement de données.
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 200 MHz avec prise en charge des E/S quadruples SPI et du DTR (double taux de transfert) pour un accès rapide aux données
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels et automobiles.
- Alimentation flexible : la tension de fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V s'adapte à différentes configurations de systèmes.
- Boîtier standard industriel : boîtier CMS SOIC 16 broches (largeur 7,50 mm) pour une intégration facile sur circuit imprimé
- Technologie NOR fiable : la technologie FLASH SLC (Single-Level Cell) garantit l'intégrité des données et une longue durée de vie.
Applications idéales
Cette solution de mémoire est parfaitement adaptée aux calculateurs automobiles, aux contrôleurs industriels, aux appareils IoT, aux équipements de réseau, aux dispositifs médicaux et à tout système embarqué nécessitant un stockage non volatil fiable et rapide avec un fonctionnement à température étendue.
Spécifications techniques complètes
Bénéficiant de la réputation de qualité et de fiabilité de GigaDevice, le GD25T512MEFIRR est livré avec un support technique complet et un engagement de disponibilité à long terme pour vos conceptions critiques.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25T |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, DTR |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 16-SOIC (0,295", largeur 7,50 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 16-SOP |
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