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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25T512MEYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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GD25T512MEYIGR - Circuit intégré de mémoire flash NOR 512 Mbit
Le GigaDevice GD25T512MEYIGR est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 512 Mbit hautes performances doté d'une interface SPI Quad E/S avancée avec DTR (Double Transfer Rate), offrant des vitesses de lecture/écriture exceptionnelles jusqu'à 200 MHz. Conçu pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes nécessitant un stockage non volatil fiable et un fonctionnement sur une large plage de températures.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 512 Mbits (64 Mo) avec une organisation de 64 M x 8
- Performances rapides : interface SPI Quad E/S avec prise en charge DTR, fréquence d’horloge de 200 MHz
- Qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Boîtier compact : Boîtier de montage en surface 8-WSON (6 x 8 mm) peu encombrant
- Large plage de tension : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour une intégration système flexible
- Technologie fiable : Architecture NOR Flash SLC pour une endurance et une rétention des données supérieures
Applications
Idéal pour le stockage de code, les mises à jour de firmware, l'enregistrement de données et le code de démarrage dans les systèmes aérospatiaux, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, l'infrastructure de télécommunications, les appareils IoT et les systèmes embarqués nécessitant une prise en charge à long terme.
Distributeur agréé
Nous fournissons des composants GigaDevice 100 % authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une garantie. Toutes les pièces sont expédiées depuis un stock agréé et bénéficient d'une logistique internationale.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25T |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, DTR |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
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