GD25UF128EQIGR

GD25UF128EQIGR - Circuit intégré de mémoire flash NOR haute performance

Le GD25UF128EQIGR est un circuit intégré de mémoire Flash NOR de 128 Mbits de qualité supérieure fabriqué par GigaDevice Semiconductor (HK) Limited , conçu pour les applications embarquées, industrielles et automobiles exigeantes où la fiabilité et la disponibilité à long terme sont essentielles.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : l’architecture Flash NOR de 128 Mbits offre une mémoire non volatile suffisante pour le micrologiciel, le code de démarrage et le stockage des données.
• Fiabilité de niveau industriel : Conçu pour les applications critiques avec des plages de températures étendues et une endurance robuste
• Approvisionnement authentique : Composants GigaDevice authentiques avec traçabilité complète et engagement tout au long de leur cycle de vie
• Applications polyvalentes : Idéal pour les systèmes embarqués, les objets connectés, l’électronique automobile, les contrôleurs industriels et les équipements de réseau.
• Conditionnement en bande et bobine : emballage prêt à l’emploi pour les processus d’assemblage automatisés

Spécifications techniques

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Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de haute qualité, avec un support complet tout au long de leur cycle de vie. Notre vaste gamme de mémoires comprend des solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM provenant des plus grands fabricants mondiaux.

Nous garantissons un approvisionnement fiable, des prix compétitifs et une assistance technique experte pour vous aider à choisir le circuit intégré de mémoire adapté à votre application. Que vous conceviez des objets connectés de nouvelle génération, des systèmes automobiles ou des contrôleurs industriels, notre équipe est là pour vous accompagner dans votre projet, du prototype à la production.

Ressources connexes

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