GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WQ128EQIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD25WQ128EQIGR - Mémoire Flash NOR Quad E/S SPI haute performance de 128 Mbit
La mémoire GD25WQ128EQIGR de GigaDevice Semiconductor offre des performances et une fiabilité exceptionnelles pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile et les applications IoT. Cette mémoire Flash NOR de 128 Mbit intègre une interface SPI Quad E/S avancée, permettant des transferts de données à haut débit à une fréquence d'horloge de 104 MHz tout en maintenant une consommation d'énergie ultra-faible sur une large plage de tension d'alimentation de 1,65 V à 3,6 V.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 104 MHz et un temps d'accès de 8 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Interface flexible : l’interface SPI Quad E/S offre des options de connectivité polyvalentes pour diverses architectures système.
- Fiabilité de niveau industriel : La plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances constantes même dans des environnements difficiles.
- Organisation optimisée de la mémoire : architecture 16 M x 8 (capacité totale de 128 Mbits), idéale pour le stockage du firmware, du code de démarrage et l’enregistrement des données.
- Large plage de tension : la tension d’alimentation de 1,65 V à 3,6 V prend en charge les applications basse consommation et standard.
- Boîtier compact pour montage en surface : 8 pastilles exposées XDFN / 8 connecteurs USON (4x4) permettent des conceptions de circuits imprimés peu encombrantes.
- Performances d'écriture rapides : temps de cycle d'écriture de 120 µs par mot et de 4 ms par page pour accélérer les opérations de programmation.
Applications idéales
Ce composant de mémoire Flash NOR haut de gamme excelle dans l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et les dispositifs IoT de nouvelle génération où l'intégrité des données, la disponibilité à long terme et la fiabilité éprouvée sont des exigences essentielles.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25WQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 120 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 8 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-XDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USONS (4x4) |

GD25WQ128EQIGR.pdf