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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25WQ128EYIGY

Prix habituel €1,95
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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €1,95 EUR €1,95 EUR
15+ €1,79 EUR €26,85 EUR
25+ €1,76 EUR €44,00 EUR
50+ €1,66 EUR €83,00 EUR
100+ €1,46 EUR €146,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

GD25WQ128EYIGY - Mémoire Flash NOR SPI 128 Mbit

La GD25WQ128EYIGY est une mémoire Flash NOR SPI 128 Mbit hautes performances de GigaDevice Semiconductor, conçue pour les systèmes embarqués, les applications industrielles et les objets connectés nécessitant un stockage non volatil fiable. Cette mémoire Flash dispose d'une interface SPI à quatre entrées/sorties avec une fréquence d'horloge de 104 MHz, offrant des performances de lecture/écriture rapides dans un boîtier compact 8-WSON.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 104 MHz associée à une interface d'E/S quadruple SPI garantit un accès et un transfert de données rapides.
  • Capacité généreuse : l’organisation de la mémoire de 128 Mbits (16 Mo x 8) offre un espace de stockage suffisant pour le micrologiciel, les données de configuration et le code applicatif.
  • Large plage de tension : la tension d’alimentation de 1,65 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures système et les conceptions à faible consommation.
  • Plage de températures industrielles : la température de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.
  • Cycles d'écriture rapides : des temps d'écriture de 120 µs par mot et de 4 ms par page permettent des mises à jour de données efficaces.
  • Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier WDFN 8 pouces avec pastille exposée (WSON 6 x 8 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.

Spécifications techniques

Applications

La mémoire GD25WQ128EYIGY est idéale pour une vaste gamme d'applications, notamment les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les objets connectés, l'électronique grand public, les équipements réseau et le stockage de microprogrammes. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa technologie flash NOR fiable la rendent parfaitement adaptée aux applications critiques nécessitant une conservation des données à long terme.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits GD25WQ
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 16M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 104 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 120 µs, 4 ms
Temps d'accès 8 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (6x8)

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