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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD55WB512MEYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD55WB512MEYIGR - Mémoire Flash NOR Quad E/S SPI 512 Mbit
Le GD55WB512MEYIGR de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 512 Mbit hautes performances doté d'une interface SPI Quad E/S. Conçu pour les applications industrielles et embarquées exigeant un stockage non volatil fiable, ce composant offre des performances de lecture/écriture rapides grâce à une fréquence d'horloge de 104 MHz et fonctionne sur une large plage de tensions d'alimentation, de 1,65 V à 3,6 V.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 512 Mbits (64 Mo x 8) offre un espace suffisant pour le micrologiciel, l’enregistrement des données et le stockage du code.
- Interface E/S quadruple SPI rapide : permet un transfert de données à haut débit jusqu’à 104 MHz pour les applications exigeantes.
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels et automobiles.
- Alimentation flexible : fonctionnement de 1,65 V à 3,6 V compatible avec diverses architectures système
- Boîtier compact pour montage en surface : 8-WSON (6 x 8 mm) avec pastille exposée pour une gestion thermique efficace
- Technologie NAND SLC : Fiabilité et endurance supérieures aux alternatives MLC
Applications typiques
Cette mémoire Flash NOR est idéale pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant un stockage de mémoire non volatile fiable et rapide avec une longue durée de vie.
Spécifications techniques complètes
Distributeur agréé : Nous fournissons des composants GigaDevice authentiques avec une traçabilité complète, un support technique et un engagement sur le long terme pour vos applications critiques.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD55WB |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
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