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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GM7REYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD5F1GM7REYIGR - Circuit intégré de mémoire flash NAND SPI 1 Gbit
La GD5F1GM7REYIGR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haute performance conçue pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle et les applications IoT nécessitant un stockage non volatil fiable. Cette mémoire flash NAND SLC offre une endurance et une rétention des données exceptionnelles, avec une interface d'E/S quadruple et la prise en charge DTR pour des opérations de lecture/écriture accélérées.
Caractéristiques principales :
- Mémoire flash NAND SLC de 1 Gbit (128 Mo) organisée en 4 blocs de 256 Mo
- Interface SPI avec E/S quadruples et mode DTR pour un transfert de données à haut débit jusqu'à 104 MHz.
- Fonctionnement basse tension : plage d’alimentation de 1,7 V à 2 V pour les conceptions sensibles à la consommation.
- Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Temps d'accès rapide de 9 ns et temps de programme de page de 600 µs
- Boîtier compact 8-WSON (6x8 mm) pour montage en surface avec pastille thermique exposée pour la gestion thermique
Applications : Idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données, les mises à jour de firmware et le code de démarrage dans les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les compteurs intelligents, les dispositifs médicaux et l'électronique grand public nécessitant une disponibilité à long terme.
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Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD5F |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 4 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, DTR |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 600 µs |
| Temps d'accès | 9 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
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