GD5F1GQ4RF9IGR

GD5F1GQ4RF9IGR - Circuit intégré de mémoire flash NAND SPI 1 Gbit

Le GD5F1GQ4RF9IGR de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NAND SPI 1 Gbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage non volatil fiable. Cette solution de mémoire avancée est dotée d'une interface SPI à quatre E/S pour des taux de transfert de données rapides jusqu'à 120 MHz, ce qui la rend idéale pour l'enregistrement de données, le stockage de firmware et l'exécution de code dans des environnements aux ressources limitées.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 1 Gbit (128 Mo x 8) offre un espace suffisant pour le micrologiciel, l’enregistrement des données et le code applicatif.
• Performances rapides : la fréquence d’horloge de 120 MHz et l’interface SPI Quad E/S permettent des opérations de lecture/écriture rapides.
• Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 1,7 V à 2 V optimise la consommation d’énergie pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.
• Plage de températures industrielles : la température de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.
• Boîtier compact : Boîtier CMS 8-LGA (6 x 8 mm) avec pastille thermique exposée pour des performances thermiques améliorées
• Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications typiques

Ce circuit intégré de mémoire flash NAND est parfaitement adapté aux systèmes embarqués, aux appareils IoT, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, à l'électronique grand public, aux systèmes d'acquisition de données et aux applications de stockage de microprogrammes où une mémoire non volatile fiable et haute densité est essentielle.

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Spécifications techniques complètes

Ressources connexes

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