GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UFYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD5F1GQ4UFYIGR - Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit
La GD5F1GQ4UFYIGR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire flash NAND SPI 1 Gbit hautes performances conçue pour les applications embarquées exigeantes. Dotée d'une interface SPI à quatre E/S et d'une fréquence d'horloge de 120 MHz, cette solution mémoire offre des performances de lecture/écriture rapides tout en maintenant une faible consommation d'énergie sur une large plage de températures de fonctionnement.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 1 Gbit (128 Mo x 8) pour les applications gourmandes en données
- Interface rapide : l'interface SPI Quad E/S avec une fréquence d'horloge de 120 MHz permet un transfert de données rapide.
- Large plage de tension : fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V pour une intégration système flexible
- Plage de température industrielle : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) permet de gagner de la place sur la carte.
- Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
Applications idéales
Idéal pour les systèmes automobiles, les contrôleurs industriels, les appareils IoT, les systèmes embarqués, l'enregistrement de données, le stockage de firmware et les équipements de télécommunications nécessitant une mémoire non volatile fiable et haute densité avec une longue durée de vie.
Spécifications techniques complètes
Toutes les spécifications sont sujettes à la fiche technique du fabricant. Contactez-nous pour connaître les tarifs dégressifs, les options d'emballage personnalisées et obtenir une assistance technique.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 120 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 700 µs |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
| RoHS |

GD5F1GQ4UFYIGR.pdf