Passer aux informations produits
1 de 1

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD5F1GQ4UFYIGR

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
N+ €0,59 EUR Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Recycling Electronic Components

GD5F1GQ4UFYIGR - Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit

La GD5F1GQ4UFYIGR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire flash NAND SPI 1 Gbit hautes performances conçue pour les applications embarquées exigeantes. Dotée d'une interface SPI à quatre E/S et d'une fréquence d'horloge de 120 MHz, cette solution mémoire offre des performances de lecture/écriture rapides tout en maintenant une faible consommation d'énergie sur une large plage de températures de fonctionnement.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : capacité de 1 Gbit (128 Mo x 8) pour les applications gourmandes en données
  • Interface rapide : l'interface SPI Quad E/S avec une fréquence d'horloge de 120 MHz permet un transfert de données rapide.
  • Large plage de tension : fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V pour une intégration système flexible
  • Plage de température industrielle : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
  • Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) permet de gagner de la place sur la carte.
  • Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb

Applications idéales

Idéal pour les systèmes automobiles, les contrôleurs industriels, les appareils IoT, les systèmes embarqués, l'enregistrement de données, le stockage de firmware et les équipements de télécommunications nécessitant une mémoire non volatile fiable et haute densité avec une longue durée de vie.

Spécifications techniques complètes

Toutes les spécifications sont sujettes à la fiche technique du fabricant. Contactez-nous pour connaître les tarifs dégressifs, les options d'emballage personnalisées et obtenir une assistance technique.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NAND
Taille de la mémoire 1 Gbit
Organisation de la mémoire 128M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 120 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 700 µs
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Demande de devis : Veuillez remplir tous les champs obligatoires avec vos coordonnées. Cliquez sur « ENVOYER », nous vous contacterons rapidement par courriel. Ou envoyez-nous un courriel à : sales@hqickey.com .