GD5F1GQ5REY2GY

GD5F1GQ5REY2GY - Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haute fiabilité

Le GD5F1GQ5REY2GY de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haut de gamme, conçu pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel et des télécommunications. Cette solution de mémoire haute performance offre une fiabilité et une intégrité des données exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : la fréquence d'horloge de 104 MHz avec prise en charge des E/S quadruples et du DTR permet un transfert de données rapide pour les applications sensibles au temps.
• Plage de température étendue : un fonctionnement de -40 °C à 105 °C garantit des performances fiables dans les environnements industriels et automobiles difficiles.
• Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 1,7 V à 2 V optimise l'efficacité énergétique des systèmes embarqués et alimentés par batterie.
• Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé dans les conceptions à espace restreint.
• Technologie NAND SLC : L’architecture à cellule unique offre une endurance et une rétention des données supérieures aux alternatives MLC.
• Performances d'écriture rapides : un cycle d'écriture de page de 600 µs accélère l'enregistrement des données et les mises à jour du micrologiciel

Applications idéales

Ce circuit intégré de mémoire est parfaitement adapté au stockage de code, à l'enregistrement de données, aux mises à jour de micrologiciels et au stockage de configurations dans les calculateurs automobiles, les automates programmables industriels, les dispositifs médicaux, l'avionique aérospatiale et les infrastructures de télécommunications.

Spécifications techniques complètes

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