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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ5REYIHY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GigaDevice GD5F1GQ5REYIHY - Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haute performance
La mémoire GD5F1GQ5REYIHY de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haut de gamme, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Dotée de la technologie NAND SLC (Single-Level Cell) avancée avec prise en charge des E/S quadruples et du DTR, cette mémoire offre une fiabilité et des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 104 MHz. Son organisation 256 Mbits x 4 et sa large plage de températures de fonctionnement (-40 °C à 85 °C) la rendent idéale pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des applications embarquées critiques nécessitant une conservation des données à long terme et une grande endurance.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD5F |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 4 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, DTR |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 600 µs |
| Temps d'accès | 9,5 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
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