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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ5REYJGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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GD5F1GQ5REYJGR - Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haute performance
La mémoire flash non volatile GD5F1GQ5REYJGR de GigaDevice Semiconductor représente une technologie de pointe conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Cette mémoire flash NAND SPI de 1 Gbit offre une fiabilité et des performances exceptionnelles dans les environnements les plus exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 104 MHz avec interfaces SPI Quad I/O, QPI et DTR pour un accès rapide aux données (temps d’accès de 9,5 ns).
- Plage de températures étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C, idéal pour les environnements industriels et automobiles difficiles.
- Faible consommation d'énergie : tension d'alimentation de 1,7 V à 2 V pour des systèmes embarqués économes en énergie
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier à pastilles exposées 8-WDFN (6 x 8 mm) optimise l’espace sur la carte.
- Grande capacité : la mémoire de 1 Gbit (4 x 256 Mo) offre un espace de stockage suffisant pour les applications embarquées.
- Performances d'écriture rapides : un cycle d'écriture de 600 µs garantit des opérations d'enregistrement et de stockage de données efficaces.
Applications idéales
Cette mémoire flash NAND haute fiabilité est conçue pour :
- Systèmes de commandes de vol et avionique aérospatiale
- calculateurs automobiles, systèmes ADAS et systèmes d'infodivertissement
- Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
- stockage de données des dispositifs médicaux
- Infrastructure de télécommunications
- Stockage du micrologiciel du système embarqué
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD5F |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 4 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 600 µs |
| Temps d'accès | 9,5 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
GD5F1GQ5REYJGR.pdf