GD5F1GQ5UEBIGY

GD5F1GQ5UEBIGY - Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haute performance

La GD5F1GQ5UEBIGY de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haut de gamme, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Dotée de la technologie NAND SLC (Single-Level Cell) avancée avec prise en charge des E/S quadruples et du DTR (Double Transfer Rate), cette mémoire offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 7 ns.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec interface E/S quadruple SPI et prise en charge DTR pour un débit maximal
• Grande capacité : mémoire de 1 Gbit (128 Mo x 8) idéale pour le stockage de code, l'enregistrement de données et les applications de micrologiciel.
• Fiabilité de niveau industriel : une large plage de températures de fonctionnement (-40 °C à 85 °C) garantit un fonctionnement stable même dans des environnements difficiles.
• Alimentation flexible : plage de tension de 2,7 V à 3,6 V compatible avec diverses architectures système
• Format compact : Boîtier 24 TFBGA (6 x 8 mm) peu encombrant, idéal pour les conceptions à espace restreint.
• Performances d'écriture rapides : temps de cycle d'écriture de page de 600 µs pour un stockage de données efficace

Applications idéales

Cette mémoire flash NAND SPI est parfaitement adaptée à l'électronique automobile, aux systèmes de contrôle industriels, aux appareils IoT, aux plateformes informatiques embarquées, à l'électronique grand public et aux systèmes d'acquisition de données nécessitant un stockage non volatil fiable et à haute endurance.

Spécifications techniques

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