GD5F1GQ5UEY2GR

Le GD5F1GQ5UEY2GR est un circuit intégré de mémoire flash NAND 1 Gb haute performance de GigaDevice Semiconductor (HK) Limited , conçu pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce composant de mémoire flash haut de gamme offre une fiabilité et une intégrité des données exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant des solutions de stockage non volatiles.

Principales caractéristiques et avantages :

• Architecture de mémoire flash NAND de 1 Gb pour le stockage de données haute densité
• Fiabilité supérieure pour les applications embarquées critiques
• Emballage en bande et bobine pour les procédés de fabrication automatisés
• Traçabilité et authenticité complètes auprès du distributeur agréé
• Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel et des dispositifs médicaux
• Conforme aux normes industrielles pour les applications à haute fiabilité

Applications : Systèmes embarqués, enregistrement de données, stockage de micrologiciels, calculateurs automobiles, contrôleurs industriels, équipements médicaux, infrastructures de télécommunications et dispositifs IoT nécessitant une mémoire non volatile fiable.

Spécifications techniques

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