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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ5UEYIGY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD5F1GQ5UEYIGY - Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haute performance
La mémoire flash NAND SPI GD5F1GQ5UEYIGY de GigaDevice Semiconductor est une solution haut de gamme de 1 Gbit, conçue pour les systèmes embarqués, les applications industrielles et les objets connectés (IoT) nécessitant un stockage non volatil fiable et rapide. Ce composant authentique offre des performances exceptionnelles grâce à sa prise en charge des interfaces SPI/Quad E/S, sa fréquence d'horloge de 133 MHz et sa résistance aux températures extrêmes.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 1 Gbit (128 Mo) avec une organisation de 256 Mo x 4 pour une gestion efficace des données
- Interface rapide : modes SPI, Quad I/O, QPI et DTR pour une intégration flexible et un débit maximal
- Qualité industrielle : la plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit la fiabilité dans des environnements difficiles.
- Faible consommation : tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V optimisée pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie
- Boîtier compact : le boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Performances d'écriture rapides : temps de cycle d'écriture de page de 600 µs et temps d'accès de 7 ns
- Technologie NAND SLC : endurance et rétention des données supérieures aux alternatives MLC/TLC
Applications idéales
Idéal pour l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les équipements de réseau, l'électronique grand public et tout système embarqué nécessitant un stockage flash fiable avec une longue durée de vie.
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Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD5F |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 4 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 600 µs |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
GD5F1GQ5UEYIGY.pdf