GD5F1GQ5UEYIHY

GD5F1GQ5UEYIHY - Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haute performance

Le GD5F1GQ5UEYIHY de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NAND SPI 1 Gbit haut de gamme, conçu pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable et rapide. Cette solution de mémoire avancée est dotée d'une interface SPI à quatre E/S avec prise en charge du DTR (Double Transfer Rate), offrant des performances exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 133 MHz pour les applications industrielles et grand public les plus exigeantes.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : la fréquence d’horloge de 133 MHz avec prise en charge des interfaces SPI et DTR à quatre E/S garantit un accès et un transfert de données rapides.
• Capacité généreuse : 1 Gbit (128 Mo) de stockage organisé en 4 x 256 Mo pour une gestion flexible de la mémoire
• Fiabilité de qualité industrielle : large plage de températures de fonctionnement (-40 °C à 85 °C) adaptée aux environnements difficiles
• Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V optimise l’efficacité énergétique.
• Temps d'accès rapide : temps d'accès de 7 ns avec un cycle d'écriture de page de 600 µs pour des performances système réactives.
• Encombrement réduit : Boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) compact avec pastille thermique exposée pour des performances thermiques améliorées.
• Technologie NAND SLC : L’architecture à cellule unique offre une endurance et une rétention des données supérieures.

Applications idéales

Cette mémoire flash NAND polyvalente est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux appareils IoT, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, à l'électronique grand public, aux systèmes d'enregistrement de données, au stockage de firmware et aux applications de code de démarrage où une mémoire non volatile fiable est essentielle.

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Spécifications techniques complètes

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