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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GM7REWIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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GD5F2GM7REWIGR - Mémoire flash NAND SPI 2 Gbit haute performance
Le GD5F2GM7REWIGR de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NAND SPI 2 Gbit haute fiabilité, conçu pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Cette solution de mémoire avancée offre des performances exceptionnelles grâce à son interface SPI à quatre E/S et sa compatibilité DTR, permettant des débits de transfert de données jusqu'à 104 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Haute capacité : l'organisation de la mémoire de 2 Gbit (256 Mo x 8) offre un espace de stockage suffisant pour les applications embarquées.
- Performances rapides : une fréquence d'horloge de 104 MHz avec un temps d'accès de 9 ns garantit une récupération rapide des données.
- Interface avancée : l’ interface SPI Quad E/S avec prise en charge du DTR (Double Transfer Rate) maximise le débit.
- Qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Faible consommation : une tension d'alimentation de 1,7 V à 2 V optimise l'efficacité énergétique.
- Technologie fiable : l'architecture SLC NAND Flash garantit l'intégrité et la longévité des données.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 8-WSON (5 x 6 mm) permet de gagner de la place sur la carte.
Applications
Idéal pour les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les appareils IoT, les équipements médicaux, les infrastructures de télécommunications et tout système embarqué nécessitant un stockage non volatil haute densité et fiable avec une interface série rapide.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD5F |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, DTR |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 600 µs |
| Temps d'accès | 9 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (5x6) |
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