GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GM7REYIGY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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GD5F2GM7REYIGY - Mémoire flash NAND SPI 2 Gbit haute fiabilité
La puce GD5F2GM7REYIGY de GigaDevice Semiconductor est une mémoire flash NAND SPI 2 Gbit haut de gamme conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Cette solution mémoire haute performance offre une fiabilité et une intégrité des données exceptionnelles pour les systèmes exigeant une performance sans faille.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 104 MHz avec prise en charge des E/S quadruples et du DTR pour un transfert de données rapide
- Efficacité énergétique optimisée : le fonctionnement à basse tension (1,7 V à 2 V) réduit la consommation d’énergie dans les applications alimentées par batterie et sensibles à l’énergie.
- Plage de température étendue : la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit un fonctionnement fiable dans des environnements industriels difficiles.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Performances d'écriture rapides : cycle d'écriture de 600 µs et temps d'accès de 9 ns pour un fonctionnement système réactif.
- Technologie NAND SLC : L’architecture à cellule unique offre une endurance et une rétention des données supérieures aux alternatives MLC.
Applications idéales
Ce circuit intégré de mémoire est parfaitement adapté aux systèmes embarqués, à l'enregistrement de données, au stockage de firmware, aux appareils IoT, aux calculateurs automobiles, aux contrôleurs industriels et à toute application nécessitant un stockage non volatil à haute fiabilité et une conservation des données à long terme.
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Spécifications techniques
Produits et ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD5F |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 4 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, DTR |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 600 µs |
| Temps d'accès | 9 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
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