GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4RF9IGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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GD5F2GQ4RF9IGR - Mémoire flash NAND SPI 2 Gbit haute performance
Le GD5F2GQ4RF9IGR de GigaDevice Semiconductor offre des performances et une fiabilité exceptionnelles pour les systèmes embarqués critiques. Ce circuit intégré de mémoire Flash NAND de 2 Gbits intègre une interface SPI Quad E/S avancée, permettant un transfert de données à haut débit à une fréquence d'horloge de 120 MHz tout en maintenant une consommation d'énergie ultra-faible grâce à une plage de tension d'alimentation de 1,7 V à 2 V.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 2 Gbit (256 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour le micrologiciel, l’enregistrement de données et le stockage de code dans les applications à espace limité.
- Transfert de données rapide : l'interface SPI Quad E/S avec une fréquence d'horloge de 120 MHz garantit des opérations de lecture/écriture rapides pour les systèmes industriels et automobiles sensibles au temps.
- Conception basse consommation : une tension de fonctionnement de 1,7 V à 2 V optimise l'efficacité énergétique pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.
- Plage de températures industrielles : la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des conditions environnementales difficiles.
- Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 8-LGA (6 x 8 mm) avec pastille exposée permet une gestion thermique efficace et des agencements de circuits imprimés haute densité.
- Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Ce circuit intégré de mémoire flash NAND est conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'automatisation industrielle, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Que vous conceviez des objets connectés de nouvelle génération, des calculateurs automobiles, des contrôleurs industriels ou des équipements de diagnostic médical, le GD5F2GQ4RF9IGR offre les performances, la fiabilité et la longévité requises par vos systèmes critiques.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 120 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 700 µs |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-VLGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-LGA (6x8) |
| RoHS |

GD5F2GQ4RF9IGR.pdf