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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD5F2GQ4UEYIGR

Prix habituel €2,95
Prix habituel Prix promotionnel €2,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €2,95 EUR €2,95 EUR
15+ €2,71 EUR €40,65 EUR
25+ €2,66 EUR €66,50 EUR
50+ €2,51 EUR €125,50 EUR
100+ €2,21 EUR €221,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

GD5F2GQ4UEYIGR - Mémoire flash NAND SPI 2 Gbit

Le GD5F2GQ4UEYIGR de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire flash NAND SPI 2 Gbit haute fiabilité conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des systèmes de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : fréquence d'horloge de 120 MHz avec interface E/S quadruple SPI pour un accès rapide aux données
  • Grande capacité : l'organisation de la mémoire de 2 Gbit (256 Mo x 8) offre un espace de stockage suffisant pour les systèmes embarqués.
  • Plage de températures étendue : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
  • Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V optimise l'efficacité énergétique.
  • Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (6x8) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
  • Performances d'écriture rapides : cycle d'écriture de 700 µs pour un enregistrement de données efficace
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications

Cette mémoire flash NAND est idéale pour :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • calculateurs automobiles et systèmes d'infodivertissement
  • Automatisation industrielle et contrôle des processus
  • Équipements de diagnostic médical et surveillance des patients
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Enregistrement des données et stockage du firmware

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Spécifications techniques

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NAND
Taille de la mémoire 2 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 120 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 700 µs
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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