GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4UEYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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GD5F2GQ4UEYIGR - Mémoire flash NAND SPI 2 Gbit
Le GD5F2GQ4UEYIGR de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire flash NAND SPI 2 Gbit haute fiabilité conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des systèmes de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d'horloge de 120 MHz avec interface E/S quadruple SPI pour un accès rapide aux données
- Grande capacité : l'organisation de la mémoire de 2 Gbit (256 Mo x 8) offre un espace de stockage suffisant pour les systèmes embarqués.
- Plage de températures étendue : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
- Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V optimise l'efficacité énergétique.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (6x8) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Performances d'écriture rapides : cycle d'écriture de 700 µs pour un enregistrement de données efficace
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications
Cette mémoire flash NAND est idéale pour :
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- calculateurs automobiles et systèmes d'infodivertissement
- Automatisation industrielle et contrôle des processus
- Équipements de diagnostic médical et surveillance des patients
- Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
- Enregistrement des données et stockage du firmware
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Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 120 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 700 µs |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
| RoHS |

GD5F2GQ4UEYIGR.pdf