GD5F2GQ4UF9IGR

GD5F2GQ4UF9IGR - Mémoire flash NAND SPI 2 Gbit haute fiabilité

Le GD5F2GQ4UF9IGR de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire flash NAND SPI 2 Gbit hautes performances, conçu pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution de mémoire avancée offre une fiabilité et des performances exceptionnelles dans les environnements les plus exigeants.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 120 MHz avec interface d’E/S quadruple SPI pour un accès et un transfert de données rapides.
• Grande capacité : la mémoire de 2 Gbit (256 Mo x 8) offre un espace de stockage suffisant pour les applications embarquées.
• Large plage de fonctionnement : la plage de températures de -40 °C à 85 °C garantit un fonctionnement fiable dans des environnements industriels difficiles.
• Alimentation flexible : plage de tension de 2,7 V à 3,6 V compatible avec diverses architectures système
• Boîtier compact : Boîtier CMS 8-LGA (6 x 8 mm) avec pastille exposée pour des performances thermiques améliorées
• Performances d'écriture rapides : temps de cycle d'écriture de 700 µs pour une programmation de données efficace
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, l'enregistrement de données, le stockage de firmware et les applications critiques nécessitant une mémoire non volatile à haute fiabilité et traçabilité.

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Spécifications techniques

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