GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ5REYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD5F2GQ5REYIGR - Mémoire flash NAND SPI 2 Gbit
Le GD5F2GQ5REYIGR de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire flash NAND SPI 2 Gbit haute performance conçue pour les systèmes embarqués, les appareils IoT et les applications industrielles nécessitant un stockage non volatil fiable.
Caractéristiques principales
- Capacité de mémoire de 2 Gbit (256 Mo x 8) – Stockage suffisant pour le firmware, l'enregistrement des données et le code applicatif
- Interface SPI Quad E/S - Transfert de données rapide grâce à une fréquence d'horloge de 80 MHz pour des opérations de lecture/écriture efficaces
- Fonctionnement à basse tension (1,7 V ~ 2 V) - Conception écoénergétique idéale pour les appareils portables et alimentés par batterie
- Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) - Performances fiables même dans des environnements difficiles
- Boîtier compact 8-WSON (6x8) - Conception de montage en surface peu encombrante pour les circuits imprimés haute densité
- Temps d'accès rapide (11 ns) - Récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Technologie NAND SLC : endurance et rétention des données supérieures aux alternatives MLC/TLC
Applications
Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les dispositifs médicaux, l'électronique grand public, les compteurs intelligents et les plateformes informatiques embarquées nécessitant un stockage de mémoire non volatile fiable et à haute vitesse.
Spécifications techniques complètes
Conformité : Conforme à la directive RoHS. Traçabilité complète et documentation qualité disponibles.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD5F |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 80 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 600 µs |
| Temps d'accès | 11 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |

GD5F2GQ5REYIGR.pdf