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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD5F2GQ5REYIGR

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
N+ €0,59 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

GD5F2GQ5REYIGR - Mémoire flash NAND SPI 2 Gbit

Le GD5F2GQ5REYIGR de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire flash NAND SPI 2 Gbit haute performance conçue pour les systèmes embarqués, les appareils IoT et les applications industrielles nécessitant un stockage non volatil fiable.

Caractéristiques principales

  • Capacité de mémoire de 2 Gbit (256 Mo x 8) – Stockage suffisant pour le firmware, l'enregistrement des données et le code applicatif
  • Interface SPI Quad E/S - Transfert de données rapide grâce à une fréquence d'horloge de 80 MHz pour des opérations de lecture/écriture efficaces
  • Fonctionnement à basse tension (1,7 V ~ 2 V) - Conception écoénergétique idéale pour les appareils portables et alimentés par batterie
  • Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) - Performances fiables même dans des environnements difficiles
  • Boîtier compact 8-WSON (6x8) - Conception de montage en surface peu encombrante pour les circuits imprimés haute densité
  • Temps d'accès rapide (11 ns) - Récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Technologie NAND SLC : endurance et rétention des données supérieures aux alternatives MLC/TLC

Applications

Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les dispositifs médicaux, l'électronique grand public, les compteurs intelligents et les plateformes informatiques embarquées nécessitant un stockage de mémoire non volatile fiable et à haute vitesse.

Spécifications techniques complètes

Conformité : Conforme à la directive RoHS. Traçabilité complète et documentation qualité disponibles.


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits GD5F
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Taille de la mémoire 2 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 80 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 600 µs
Temps d'accès 11 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (6x8)

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