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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ5REYIHY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD5F2GQ5REYIHY - Circuit intégré de mémoire flash NAND SPI 2 Gbit
La GD5F2GQ5REYIHY de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire Flash NAND SPI 2 Gbit hautes performances, conçue pour les applications industrielles exigeant un stockage non volatil fiable. Dotée d'interfaces Quad I/O et QPI avancées avec prise en charge DTR, cette puce mémoire offre des taux de transfert de données rapides jusqu'à 80 MHz tout en fonctionnant sous une tension d'alimentation basse de 1,7 V à 2 V.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 2 Gbit avec une organisation de mémoire de 512 Mo x 4
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 80 MHz, temps d’accès de 11 ns et cycle d’écriture de 600 µs.
- Interface flexible : SPI avec prise en charge des E/S quadruples, QPI et DTR pour une intégration système polyvalente.
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 1,7 V à 2 V pour des conceptions écoénergétiques
- Qualité industrielle : large plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C
- Boîtier compact : Boîtier de montage en surface 8-WSON (6 x 8 mm) peu encombrant
Applications idéales
Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, l'enregistrement de données, le stockage de firmware et toute application nécessitant une mémoire non volatile fiable et rapide compatible avec l'interface SPI.
Spécifications techniques complètes
Qualité et conformité
Ce composant est approvisionné via des circuits de distribution agréés, garantissant une traçabilité complète et la conformité aux réglementations RoHS et REACH. Des fiches techniques et des ressources d'aide à la conception sont disponibles pour vous accompagner dans votre processus d'intégration.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD5F |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 4 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 80 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 600 µs |
| Temps d'accès | 11 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
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