GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ5REYJGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD5F2GQ5REYJGR - Mémoire flash NAND SPI 2 Gbit
Le GD5F2GQ5REYJGR de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire Flash NAND SPI 2 Gbit haute performance conçue pour les applications industrielles et embarquées nécessitant un stockage non volatil fiable et à longue durée de vie.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 2 Gbit (256 Mo) dans un format compact 8-WSON
- Performances rapides : fréquence d'horloge de 80 MHz avec un temps d'accès de 11 ns pour une récupération rapide des données.
- Interface d'E/S quadruple : l'interface d'E/S quadruple SPI maximise le débit tout en minimisant le nombre de broches.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C pour les environnements difficiles.
- Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,7 V à 2 V réduit la consommation d’énergie.
- Technologie NAND SLC : endurance et rétention des données supérieures aux alternatives MLC/TLC
- Conception pour montage en surface : le boîtier 8-WDFN/8-WSON permet un assemblage automatisé et des agencements compacts.
Applications idéales
Idéal pour les systèmes automobiles, les contrôleurs industriels, les appareils IoT, les équipements médicaux, les infrastructures de télécommunications et toute application nécessitant un stockage de code fiable, un enregistrement de données ou des mises à jour de micrologiciel dans des conditions de fonctionnement difficiles.
Spécifications techniques complètes
Distributeur agréé : Nous fournissons des composants GigaDevice authentiques avec une traçabilité complète, un support technique et des engagements de disponibilité à long terme pour vos conceptions critiques.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD5F |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 80 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 600 µs |
| Temps d'accès | 11 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |

GD5F2GQ5REYJGR.pdf