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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ5UEYIHY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD5F2GQ5UEYIHY - Solution de mémoire flash NAND SPI 2 Gbit
La mémoire flash non volatile GD5F2GQ5UEYIHY de GigaDevice Semiconductor offre des performances élevées et une grande fiabilité pour les systèmes embarqués, les applications industrielles et les objets connectés. Cette mémoire flash NAND SPI de 2 Gbits est dotée d'interfaces Quad I/O et QPI avancées avec prise en charge DTR, permettant des débits de transfert de données rapides jusqu'à 104 MHz pour les applications exigeantes.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 2 Gbit (4 x 512 Mo) offre un espace suffisant pour le micrologiciel, l’enregistrement des données et le code applicatif.
- Performances rapides : la fréquence d’horloge de 104 MHz avec prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR garantit des opérations de lecture/écriture rapides.
- Fiabilité de qualité industrielle : Sa plage de températures de fonctionnement, de -40 °C à 85 °C, la rend idéale pour les environnements difficiles.
- Faible consommation d'énergie : la plage de tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V optimise l'efficacité énergétique.
- Encombrement réduit : Boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) compact avec pastille thermique exposée pour des performances thermiques améliorées.
- Technologie NAND SLC : L’architecture à cellule unique garantit une endurance et une rétention des données supérieures
Applications idéales
Idéal pour les systèmes automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications, les applications aérospatiales et toute conception nécessitant des composants de mémoire traçables à longue durée de vie et à fiabilité éprouvée.
Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD5F |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 4 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 600 µs |
| Temps d'accès | 9 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
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