GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4UCYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD5F4GQ4UCYIGR - Mémoire flash NAND SPI 4 Gbit
Le GD5F4GQ4UCYIGR de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NAND SPI 4 Gbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués, les objets connectés et les applications industrielles exigeant un stockage non volatil fiable. Doté d'une interface SPI à quatre E/S et d'une fréquence d'horloge de 120 MHz, ce circuit intégré offre des débits de transfert de données rapides tout en maintenant une faible consommation d'énergie.
Principales caractéristiques et avantages :
- Stockage haute densité : capacité de mémoire de 4 Gbit (512 Mo x 8) pour les applications exigeantes
- Interface rapide : E/S quadruples SPI avec une fréquence d’horloge de 120 MHz pour un accès rapide aux données
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 85 °C
- Boîtier compact : Boîtier de montage en surface 8-WSON (6 x 8 mm) peu encombrant
- Qualité industrielle : Conçu pour une fiabilité optimale dans les environnements difficiles
- Conforme à la directive RoHS : fabrication respectueuse de l’environnement et sans plomb
Applications typiques :
Idéal pour les systèmes embarqués, le stockage de code, l'enregistrement de données, les appareils IoT, l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, l'électronique grand public et les applications de stockage de firmware.
Spécifications techniques complètes :
Pourquoi choisir GigaDevice ? En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants GigaDevice authentiques avec une traçabilité complète, un support technique et une gestion fiable de la chaîne d’approvisionnement pour vos projets critiques.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Taille de la mémoire | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 120 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
| RoHS |

GD5F4GQ4UCYIGR.pdf