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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD9FS1G8F2DDGI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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GD9FS1G8F2DDGI - Circuit intégré de mémoire flash NAND 1 Gbit haute performance
Le GD9FS1G8F2DDGI de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire flash NAND 1 Gbit haut de gamme, conçu pour les systèmes embarqués critiques et les applications industrielles. Cette mémoire flash NAND SLC haute fiabilité offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 16 ns et un fonctionnement robuste sur une large plage de températures.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 1 Gbit : l'organisation 128 Mo x 8 offre un espace de stockage suffisant pour les applications embarquées.
- Technologie SLC NAND : Fiabilité et endurance supérieures pour les applications industrielles
- Interface ONFI : L'interface standard de l'industrie garantit une large compatibilité
- Performances rapides : temps d’accès de 16 ns et temps de cycle d’écriture de 20 ns/600 µs
- Large plage de fonctionnement : tolérance aux températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Boîtier compact 48-FBGA : conception à montage en surface 6 x 8 mm peu encombrante
- Alimentation flexible : tension de fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V
Spécifications techniques
Applications
Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux, des équipements de télécommunications et autres applications embarquées critiques nécessitant un stockage de mémoire non volatile fiable.
Pourquoi choisir les solutions de mémoire GigaDevice ?
GigaDevice Semiconductor offre une qualité de niveau ingénierie avec une disponibilité à long terme, faisant du GD9FS1G8F2DDGI un excellent choix pour les conceptions nécessitant un support produit continu et une fiabilité éprouvée dans des environnements exigeants.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD9F |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 8 |
| Interface mémoire | ONFI |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 20 ns, 600 µs |
| Temps d'accès | 16 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-FBGA (6x8) |
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