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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD9FS2G8F3ALGI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GigaDevice GD9FS2G8F3ALGI - Mémoire flash NAND SLC 2 Gbit haute fiabilité
La mémoire flash NAND SLC (Single-Level Cell) GD9FS2G8F3ALGI de GigaDevice Semiconductor est une mémoire haute performance de 2 Gbit conçue pour les applications industrielles et embarquées exigeant une fiabilité et une endurance exceptionnelles. Grâce à son interface ONFI standard et à sa large plage de températures de fonctionnement, ce composant est idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des télécommunications et des équipements médicaux.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de stockage de 2 Gbit - L'organisation 256 Mo x 8 offre une mémoire non volatile suffisante
- Technologie NAND SLC : fiabilité, endurance et rétention des données supérieures à celles des technologies MLC/TLC.
- Interface ONFI - Une interface standard du secteur garantit une large compatibilité
- Temps d'accès rapides : temps d'accès de 20 ns et cycle d'écriture de 25 ns pour des performances réactives.
- Large plage de tension d'alimentation (1,7 V à 1,95 V) pour une intégration système flexible.
- Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Boîtier compact 63-VFBGA - Format compact de 9 x 11 mm pour des conceptions denses
Applications
Cette mémoire flash NAND est conçue pour les applications critiques, notamment les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et les systèmes aérospatiaux, où la fiabilité à long terme et l'intégrité des données sont primordiales.
Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD9F |
| Conditionnement | Plateau | Plateau |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | ONFI |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 25 ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 63-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 63-FBGA (9x11) |
GD9FS2G8F3ALGI.pdf