GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD9FU1G8F2DLGI - Circuit intégré de mémoire flash NAND 1 Gbit | Boîtier 63-FBGA
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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GD9FU1G8F2DLGI - Circuit intégré de mémoire flash NAND 1 Gbit de qualité supérieure
Le GD9FU1G8F2DLGI de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire Flash NAND haute performance de qualité industrielle, conçue pour les systèmes embarqués critiques. Ce circuit intégré Flash NAND SLC (Single-Level Cell) de 1 Gbit offre une fiabilité exceptionnelle, des temps d'accès rapides et des performances robustes sur une large plage de températures, ce qui en fait le choix idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, d'automatisation industrielle, médicales et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : la capacité de mémoire de 1 Gbit (128 Mo x 8) offre un espace suffisant pour le micrologiciel, l’enregistrement de données et les applications embarquées.
- Technologie NAND SLC : endurance et rétention des données supérieures aux alternatives MLC/TLC, garantissant une fiabilité à long terme
- Performances rapides : un temps d’accès de 9 ns et un temps de cycle d’écriture de 12 ns permettent des opérations de données rapides pour les applications sensibles au temps.
- Interface standard de l'industrie : la compatibilité ONFI (Open NAND Flash Interface) garantit une intégration transparente avec les architectures de contrôleurs existantes.
- Large plage de fonctionnement : tolérance aux températures de -40 °C à 85 °C permettant un déploiement dans des environnements industriels difficiles.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 63-FBGA (9 x 11 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
- Alimentation flexible : la tension de fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V s’adapte à diverses architectures d’alimentation système.
Applications
Ce circuit intégré de mémoire est spécialement conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil à haute fiabilité et à longue durée de vie. Applications courantes :
- calculateurs automobiles et systèmes d'infodivertissement
- Contrôleurs industriels et automates programmables
- équipement de diagnostic médical
- avionique aérospatiale et enregistreurs de vol
- Infrastructure de télécommunications
- Dispositifs et passerelles IoT en périphérie
- Systèmes embarqués Linux et basés sur RTOS
Spécifications techniques
Pourquoi choisir la mémoire flash NAND GigaDevice ?
GigaDevice Semiconductor est un fournisseur de premier plan de solutions de mémoire haute fiabilité pour les applications embarquées et industrielles. La série GD9F offre des performances éprouvées, des tests de qualification approfondis et une disponibilité produit à long terme — des facteurs essentiels pour les conceptions nécessitant un support technique étendu.
Qualité et fiabilité
Tous les circuits intégrés de mémoire GigaDevice sont soumis à des tests de qualification rigoureux afin de répondre aux normes automobiles (AEC-Q100), industrielles et commerciales. Grâce à une protection ESD complète, des fonctions de correction d'erreurs intégrées et une endurance éprouvée, le GD9FU1G8F2DLGI garantit l'intégrité des données tout au long de sa durée de vie.
Produits et ressources connexes
Découvrez notre gamme complète de circuits intégrés de mémoire, incluant des solutions SRAM, DRAM, Flash et EEPROM pour systèmes embarqués. Consultez le catalogue complet de composants semi-conducteurs haut de gamme sur HQICKEY . Pour des analyses techniques, des notes d'application et les tendances du secteur, consultez notre blog technique .
Besoin d'aide pour choisir vos produits ou connaître leurs spécifications techniques ? Notre équipe d'ingénieurs est là pour vous aider à trouver la solution de mémoire optimale pour votre application.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD9F |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 8 |
| Interface mémoire | ONFI |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12 ns, 600 µs |
| Temps d'accès | 9 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 63-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 63-FBGA (9x11) |
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